现代半导体技术在电力电子方面的应用趋势显示，功率器件的开关电流和电压不断增加，同时开关速度也显著上升。功率半导体领域的发展也包括了IGBTs(Insulated Gate Bipolar Transistor) 和IGBT模块。使用IGBTs必须设计低电感线路，而这种电路一般采用具有高du/dt的电容。甚至低电感的导流条也能减少存在于集电极和发射极间的突波电压，而这种电压会损坏价值较高的功率器件。



   为保护线路中的功率器件，必需使用缓冲回路。该回路的关键器件是低电感、高脉冲电容，可以截去峰值电压。一般有三种基本的线路可采用。




应用于吸收回路的电容必须具备以下条件：低电感、低等效电阻、高脉冲承受能力、低损耗因素。为了使线路的电感较小，电容的安装尽可能靠近受保护的功率器件，并且牢固。




一、CSG型
二、CSF型
三、CSD型